Galaxy Note 6 và S7 edge+ sẽ có chip 256 GB UFS 2.0

Đây thực sự là một tin tuyệt vời cho cộng đồng người dùng, mặc dù hơi buồn một chút khi nó không được áp dụng cho Galaxy S7 và S7 edge mà Samsung mới công bố vốn chỉ có giới hạn tối đa 128 GB.

Năm ngoái, trước sự kiện ra mắt Galaxy S6, Samsung đã giới thiệu giải pháp lưu trữ UFS 2.0 với bộ nhớ trong 128 GB là tương lai của lưu trữ di động khi nó nhanh hơn eMMC tiêu chuẩn trên hầu hết smartphone. UFS 2.0 có tốc độ lưu trữ nhanh hơn cho cả điều kiện đọc và ghi vào bộ nhớ, thậm chí có thể đọc/ghi đồng thời.

Ở thời điểm ra mắt Galaxy S6, Samsung cho biết đã đó là sản phẩm đầu tiên sử dụng chip 128 GB UFS 2.0 của hãng, và sau đó nó được áp dụng cho các biến thể Galaxy S6 sau đó.

Chip 256 GB UFS 2.0 mở ra tương lai về smartphone xuất hiện 256 GB sẽ nhiều hơn

Chip 256 GB UFS 2.0 mới có tốc độ đọc lên đến 850 MB/s và ghi lên đến 260 MB/s, nhanh gấp 2 lần so với tốc độ ổ SSD điển hình sử dụng trên máy tính, và gấp 3 lần tốc độ của các thẻ microSD cao cấp. Như vậy, chỉ mất 1 năm công ty đã tăng gấp đôi khả năng lưu trữ của chip UFS 2.0, thậm chí cả tốc độ.

Chip nhớ mới nhỏ hơn một thẻ microSD gắn ngoài, nhờ vậy mà Samsung cho biết nó sẽ mang đến sự linh động hơn trong thiết kế smartphone.

Mặc dù Galaxy S7 và S7 edge không đi kèm với chip nhớ mới, nhưng điều đó không có nghĩa là sản phẩm sang năm mới được tiếp cận chip mới. Bởi lẽ Samsung dự kiến sẽ giới thiệu Galaxy Note 6 vào nửa cuối năm nay, mà theo tin đồn sẽ có bộ nhớ trong 256 GB, vì vậy sản phẩm hoàn toàn có khả năng sở hữu chip nhớ mới. Bên cạnh đó, như năm ngoái Galaxy S7 edge+ cũng có thể ra mắt cùng Galaxy Note 6, và không loại trừ khả năng nó cũng tích hợp chip nhớ này./.