Samsung đột phá trong công nghệ “bắt chước não bộ” MRAM
VOV.VN - Samsung đã trình diễn tính toán trong bộ nhớ đầu tiên trên thế giới dựa trên bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính (MRAM) sau khi công ty vượt qua rào cản mà MRAM đặt ra.
Cho đến nay, MRAM rất khó sử dụng do điện trở thấp khiến nó ngốn điện hơn các công nghệ khác. Tuy nhiên, trong báo cáo của mình, Samsung cho biết họ đã và đang nỗ lực để vượt qua rào cản này.
Giải thích về lợi ích của MRAM và cách nó có thể hữu ích trong công nghệ chip AI thế hệ tiếp theo, tiến sĩ Seungchul Jung, một trong những tác giả của nghiên cứu cho biết: “Tính toán trong bộ nhớ tương tự như bộ não, nơi tính toán cũng xảy ra trong mạng lưới ký ức sinh học, hoặc khớp thần kinh - những điểm mà các tế bào thần kinh tiếp xúc với nhau. Trên thực tế, mặc dù tính toán được thực hiện bởi mạng MRAM của chúng tôi hiện tại có mục đích khác với tính toán do não thực hiện, nhưng mạng bộ nhớ trạng thái rắn như vậy trong tương lai có thể được sử dụng như một nền tảng để bắt chước não bộ bằng cách mô hình hóa kết nối khớp thần kinh của não”.
Để tạo ra bước đột phá này, các nhà nghiên cứu của Samsung đã phát triển một chip mảng MRAM thay thế kiến trúc điện toán trong bộ nhớ “tổng hiện tại” bằng kiến trúc điện toán trong bộ nhớ “tổng kháng cự” mới. Trong một cuộc trình diễn điện toán AI, con chip đạt độ chính xác 98% khi nhận dạng các chữ số viết tay, trong khi nó đạt độ chính xác 93% khi nhận diện khuôn mặt từ các cảnh.
Samsung cho biết họ quan tâm đến việc nâng cao điện trở suất của MRAM vì những giá trị của nó mang lại, bao gồm tốc độ hoạt động, độ bền và sự dễ dàng sản xuất phần cứng trên quy mô lớn./.
