Người dùng Samsung Galaxy S25 phàn nàn với sự cố sạc pin
VOV.VN - Chất lượng điện thoại di động cao cấp của Samsung đã được khẳng định từ lâu, tuy nhiên vấn đề với Galaxy S25 gần đây khiến nhiều người bực bội.
Samsung đang phải đối mặt với những chỉ trích liên quan đến công nghệ sạc trên các mẫu Galaxy S25, mà cụ thể là Galaxy S25+ và S25 Ultra. Theo thông tin từ Android Police, nhiều người dùng đã phàn nàn về hiệu suất sạc kém của các bộ sạc từ các dòng Galaxy trước đó khi sử dụng cho Galaxy S25 mới.
Cụ thể, một số người dùng cho biết phải mất nhiều giờ để pin của Galaxy S25+ và S25 Ultra đạt được công suất tối đa, điều này gây bất ngờ cho họ. Đáng chú ý, mặc dù điện thoại hiển thị dòng chữ “Super Charging 2.0” trên màn hình khóa, nhưng trong một số trường hợp, thiết bị không thể sạc pin. Thậm chí, một số người dùng đã gặp tình trạng bộ sạc tự động kết nối và ngắt kết nối trong khi sạc.
Theo báo cáo, việc tắt tính năng sạc nhanh có thể giúp điện thoại sạc bằng bộ sạc 45W, mặc dù tốc độ sạc sẽ chậm hơn. Vấn đề này dường như không chỉ xảy ra trên một vài thiết bị mà còn ảnh hưởng đến nhiều mẫu trong dòng Galaxy S25. Hiện tại, vẫn chưa rõ liệu Samsung có kế hoạch khắc phục sự cố này hay không.
Samsung sẽ áp dụng công nghệ pin mới cho Galaxy S26?
Bên cạnh đó, Samsung cũng đang có kế hoạch cải tiến thời lượng pin cho các mẫu smartphone cao cấp trong tương lai. Theo thông tin từ 4gnews, công ty có thể sẽ thay thế pin lithium bằng pin silicon carbonate có trên Galaxy S26 series. Pin silicon carbonate là một loại vật liệu có khả năng chứa nhiều năng lượng hơn trong không gian nhỏ hơn, điều này có thể giúp tăng dung lượng pin từ 5.000 mAh lên 6.000 mAh hoặc thậm chí 7.000 mAh.
Mặc dù chưa có thông tin chính thức về những thay đổi này nhưng có khả năng Samsung đang tiến hành những bước đột phá trong công nghệ pin trong thời gian tới.
Sai lầm lớn khi lrò rỉ hình ảnh Galaxy S25+
VOV.VN - Hình ảnh Galaxy S25+ mà Samsung sắp ra mắt đã bị rò rỉ gần đây trên mạng xã hội chứa dữ liệu quan trọng khiến nhân viên của hãng bị sa thải.
