Qualcomm công bố công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0
VOV.VN -Ngày 15/9, Qualcomm đã giới thiệu công nghệ sạc pin nhanh Qualcomm Quick Charge 3.0.
Quảng cáo công nghệ sạc tốc độ cao Qualcomm Quick Charge 3.0. Ảnh: Phonearena. |
Tất nhiên, điểm vượt trội của công nghệ sạc pin nhanh Quick Charge là sạc pin cho thiết bị với tốc độ rất cao. Và xét ở khía cạnh này, Quick Charge 3.0 dường như không làm cho chúng ta thất vọng. Qualcomm tiết lộ, công nghệ mới này sạc nhanh gấp 2 so với Quick Charge 1.0 và nhanh hơn 27% so với Quick Charge 2.0. Vậy điều này chính xác có nghĩa là gì? Đơn giản là, bạn có thể nạp năng lượng từ 0 – 80% cho thiết bị chỉ trong gần 35 phút.
Quick Charge 3.0 cũng hiệu suất hơn 38% và tiết kiệm năng lượng tới 45% so với người tiền nhiệm. Nhưng sạc nhanh chưa phải là điều nổi bật duy nhất của công nghệ sạc nhanh mới của Qualcomm. Đây cũng là công nghệ sạc đầu tiên hỗ trợ INOV (đàm phán thông minh cho hiệu điện thế tối ưu), cho phép thiết bị xác định mức năng lượng chính xác cần thiết để truyền năng lượng tối ưu cho pin. Quick Charge 3.0 thể hiện sự vượt trội so với Quick Charge 2.0 khi có thể sạc điện thoại ở các mức hiệu điện thế 5V, 9V, 12V, hoặc 20V. Quick Charge 3.0 cho phép điện áp bước gia tăng 200 mV ở giữa hiệu điện thế 3,6V và 20V, cho phép độ biến thiên linh hoạt hơn.
Quick Charge 3.0 cũng tương thích (ngược) với các phiên bản có trước và các bộ nối sạc khác nhau, đặc biệt là cổng USB Type-C. Phiên bản mới của công nghệ sạc nhanh Quick Charge sẽ xuất hiện đầu tiên trên các chipset thế hệ tiếp theo Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430.